利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測(cè)PMM
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)量測(cè)PMMA 受EUV 光照射后
的樣品表面圖貌，并觀測(cè)到PMMA 隨著曝光劑量的相變化，其相變化表
面形貌的差異可能是因?yàn)獒寶馕镔|(zhì)無(wú)法釋出所致，此一現(xiàn)象為剝蝕現(xiàn)象
導(dǎo)致薄膜樣品膜厚的變異
但因物效應(yīng)性質(zhì)；故在EUV 區(qū)段中，涂布底部抗反射層其主
要功能是增加光阻附著www.aosvi.com 力、避免因底層下方污染擴(kuò)散至光阻所產(chǎn)生的光
阻毒化現(xiàn)象、增進(jìn)平坦化之輔助成像功能，故在EUV 微影光阻底下輔助
成像的材料又稱為底層材料(UL， Underlayer material)