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半導體激光器內部結構及原理
  半導體激光器的工作物質有砷化鉀(gaas),砷化銦(inas),銻化銦(insn),鋁化鎵(gaalas
)等,輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間,醫用最短的有650nm(常用作瞄準光),常見的波長
有810nm,980nm等,不同種類的半導體激光器輸出功率差別較大:雙異質結條形激光器連續輸出功率為數
百毫瓦,脈沖輸出可達幾十瓦;激光列陣器件連續輸出功率可達百瓦級,脈沖輸出達千瓦級;可調諧激
光器連續輸出功率為零點幾毫瓦,脈沖峰值功率可達幾十瓦。
 較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w,治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續輸出,
采用400、600、1000nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸,汽化效果較1064nm快三倍靈活應用。 半導
體激光器電光轉換率高(30%),沒有多余的熱量產生,從而避免了傳統燈泵浦激光和氣體激光器所需的
龐大水冷系統,因此體積精巧,重量輕。同時,它也沒有傳統激光的閃光燈、晶體棒等高壓、高熱易損
元件,因而壽命較長,一般半導體芯片的壽命可達100萬小時,具有操作方便,機動靈活,耗電少,效率
高等優點。由于半導體激光器的諧振腔短,所以產生激光的方向性較差,發散角較大。此外,因其能極
復雜,所以產生激光的譜線較寬,單色性較差。
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洪先生