T520鉭電容，KEMET聚合物鉭電容，超低內(nèi)阻鉭電容

T520B337M2R5ATE015 T520B337M2R5ATE018 T520B337M2R5ATE035 T520B337M2R5ATE045 T520B337M2R5ATE070 T520B476M006ATE025
T520B476M006ATE035 T520B476M006ATE040 T520B476M006ATE070 T520B476M008ATE035 T520B476M008ATE070 T520B476M010ATE035
T520B476M010ATE070 T520B686M004ATE025 T520B686M004ATE035 T520B686M004ATE040

 

鉭粉的純度、電介質(zhì)的厚度、片狀鉭電容密封材料以及MnO2層的平坦度等片狀鉭電容制造工藝方面的缺陷，并不意味著片狀鉭電容在使用中就會失效，而是它承受功率的能力相對較低，當(dāng)片狀鉭電容受到浪涌電流沖擊或高溫工作時(shí)，失效的可能性就會增大。
片狀鉭電容的一個(gè)重要特性就是“白愈”功能。固體片狀鉭電容受到高電流、高電壓等破壞因素沖擊時(shí)，并非就損壞，這是因?yàn)楣腆w片狀鉭電容在高阻抗電路中暫時(shí)的擊穿可以“自愈”。假設(shè)在片狀鉭電容的陽極區(qū)域有一個(gè)電介質(zhì)較薄的位置，片狀鉭電容的大部分電流(充放電電流、漏電流等)將流過這個(gè)位置，下圖所示，這個(gè)位置將被加熱，如果溫度上升到400-500℃之間，將會發(fā)生如下化學(xué)反應(yīng)：4MnO2=2Mn2O3+O2
導(dǎo)電性良好的MnO2化學(xué)反應(yīng)后轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)電性差的Mn2O3， 缺陷位置由導(dǎo)電物料MnO2轉(zhuǎn)換為不導(dǎo)電物料Mn2O3后，流過這個(gè)位置的電流將大大的減小，這個(gè)缺陷點(diǎn)被有效的“plugged(彌補(bǔ))”，片狀鉭電容又可以正常工作了。更多型號KEMET鉭電容查詢請登錄：http://kemet.87ic.com  http://www.mhtan.com