20V/6.0A，RDS(ON)=29m?@VGS=4.5V
20V/5.2A，RDS(ON)=42m?@VGS=2.5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and m
場效應管。采用絕緣柵結構的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態。現在用途廣泛，包括電視機高頻頭（高頻，小電流）到開關電源（高壓大電流），現在把MOS和雙極型（普通三極管）復合在一起（IGBT，絕緣柵雙
MOS集成電路：
采用場效應管的集成電路，可有和TTL相同的邏輯功能，代表的有4000系列，現在很多CPU已經采用MOS電路。具有功耗低的特點。
為提高TTL電路性能，74HC系列就用MOS技術，大大 場效應管的作用
      1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
      2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
      3、場效應管可以用作可變電阻。
      4、場效應管可以方便地用作恒
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公司一貫堅持：“信譽第一、貨真價實、公正交易、服務至上”的發展理念和宗旨，向客戶提供最滿意的服務為已任，通過強大的市場服務網絡體系向企業提供規范化、專業化、多元化、全方位的優質服務，真誠歡迎海內外用戶前來洽談合作，共謀發展和建立長期的合作關系！
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