TECHSEMY45KPEY40KPY38KPE,進相器專用可控硅,進相器專用晶閘管,湖北襄樊廠家直銷。 進相器專用晶閘管,進相器專和可控硅損壞原因判別 當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。 1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。 2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。 3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。 4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。 如何更換進進相器專用可控硅 進相器中可控硅是將電網中工頻50Hz電流轉為與電機轉子同頻的低頻電流的交交變頻環節主要器件。可控硅實質上是一個通過控制極控制導通或關斷的開關元件。 從可控硅上引出并用螺絲固定在絕緣板上的為可控硅的控制極,也稱觸發極,而接有觸發線的那個散熱器端子為可控硅的陰極。也可通過測量阻的辦法區分陰陽極。而判斷可控硅好壞的簡易辦法是測其各極間的阻值,好的可控硅各極間阻值如下: 觸發極與陰極——幾十歐姆; 觸發極與陽極——幾十千歐以上; 陰極與陽極——幾十千歐以上。 實際測量時,應抽出驅動板,以保證測量準確。如發現有四只可控硅的阻值均為零時,往往只有個別可控阻值為零,應斷開與之相連的母排,重新測量。 更換可控硅時,應注意平衡鋼球位置,務必壓緊散熱器,否則易產生過熱而燒壞可控硅,更換后應再次檢測阻值。