晶片表面層原子因垂直切片方向的化學鍵被破壞而成為懸空鍵，形成表面附近的自由力場，尤其磨片是在鑄鐵磨盤上進行，所以鐵離子的污染就更加嚴重。同時，由于磨料中的金剛砂粒徑較大，造成磨片后的硅片破損層較大，懸掛鍵數目增多，極易吸附各種雜質，如顆粒、有機雜質、無機雜質、金屬離子、硅粉粉塵等，造成磨片后的硅片易發生變花、發藍、發黑等現象，使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各類污染物，清洗的潔凈程度直接決定著ULSI向更高集成度、可靠性、成品率發展，這涉及到高凈化的環境、水、化學試劑和相應的設備及配套工藝，難度越來越大，可見半導體行業中清洗工藝的重要性。
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