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半導體第一品牌【中冀聯合，韓先生，13823281061】深圳中冀聯合科技股份有限公司創立于2006年，是國內領先的無線通訊衛星導航產品測試解決方案供應商，公司下設射頻事業處和半導體事業處，我們圍繞客戶的需求持續創新，我們將多元產品標準化為客戶節約測試成本，多元化配套產品解決了測試復雜產品選型問題節約了客戶的采購時間，實現設備配件耗材一體化供應，在業界享有"通訊微波器件百貨"之稱。

　　二、三極管促進并帶來了“固態革命”，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，并產生了巨大的經濟效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規模集成電路應運而生，這樣制造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。三極管的基本結構是兩個反向連結的PN結面，可有PNP和NPN兩種組合。三個接出來的端點依序稱為發射極（emitter，E）、基極（base，B）和集電極（collector，C），名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關。
　　當沒有被復合的空穴到達BC接面的耗盡區時，會被此區內的電場加速掃入集電極，空穴在集電極中為多數載體，很快藉由漂移電流到達連結外部的歐姆接點，形成集電極電流IC。IC的大小和BC間反向偏壓的大小關系不大。基極外部僅需提供與注入空穴復合部分的電子流IBrec，與由基極注入射極的電子流InBE（這部分是三極管作用不需要的部分）。InBE在射極與與電洞復合，即InBE=IErec。PNP三極管在正向活性區時主要的電流種類可以清楚地射極注入基極的空穴流大小是由EB接面間的正向偏壓大小來控制，和二極體的情形類似，在啟動電壓附近，微小的偏壓變化，即可造成很大的注入電流變化
　　晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。
　　在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。

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