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延伸拓展
詳情介紹:4.典型的射頻氮化鎵器件的加工工藝主要包括如下環節:外延生長-器件隔離-歐姆接觸(制作源極、漏極)-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。采用金屬氧化物化學氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)方式在SiC或Si襯底上外延GaN材料。采用離子注入或者制作臺階(去除掉溝道層)的方式來實現器件隔離。射頻器件之間的隔離是制作射頻電路的基本要求。形成歐姆接觸是指制作源極和漏極的電極。對GaN材料而言,制造歐姆接觸需要在很高的溫度下完成。在源極和漏極制作完成后,GaN半導體材料需要經過鈍化過程來消除懸掛鍵等界面態。GaN的鈍化過程通常采用SiN(氮化硅)來實現。過去幾年中,射頻氮化鎵(GaN)市場成長趨勢引人注目,根據市調機構在其挺新研究報告中指出,截至2017年,射頻氮化鎵市場規模已近3.8億美元。展望未來,電信和國防將成為該產業的應用主流,由于5G網絡的迅速崛起,自2018年起,電信市場將為氮化鎵組件帶來巨大的發展契機。5G網絡將推動氮化鎵組件市場的發展。到2023年,射頻氮化鎵器件的市場規模將大幅擴張3.4倍達13億美元,2017~2023的年復合平均成長率CAGR為22.9%。射頻氮化鎵器件技術獲得業界認可,已成為主流;市場領先者的相關營收正在迅速提升,而且這一趨勢在未來數年中將持續;目前氮化鎵組件的價格依然較高,近年會有越來越多公司加入這個市場,提升供貨數量,并促成價格下降。
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