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GDMS輝光放電質(zhì)譜儀
利用陰極濺射。輝光放電形成的正離子轟擊樣品，能量從幾百到幾千電子伏的正的氬離子被加速到樣品表面。導(dǎo)致樣品上層被腐蝕或霧化。在質(zhì)譜儀經(jīng)過(guò)質(zhì)量分離后測(cè)量從濺射區(qū)域產(chǎn)生的分析離子，經(jīng)RSF轉(zhuǎn)化成濃度。
GDMS優(yōu)點(diǎn)
能夠探測(cè)到每種雜質(zhì)的化學(xué)態(tài)的全部濃度，不需要通過(guò)化學(xué)方法。可以一次性測(cè)出全部的73種元素的含量，可以精度到小數(shù)點(diǎn)8位。檢測(cè)成本低
GDMS缺點(diǎn)
H、C、O、N元素的探測(cè)極限較差
GDMS適用范圍
石墨  碳  硅  碳化硅 氧化物  陶瓷 等
SIMS基本原理
樣品由氧或者銫源的聚焦一次離子束濺射，形成的二次離子被加速使其脫離樣品表面，由靜電分析器進(jìn)行能量分離和由電磁質(zhì)量分析器基于質(zhì)荷比進(jìn)行質(zhì)量分離。