特征

超高效率:超過95%的可能

n溝道MOSFET為高電流驅(qū)動(dòng)或 p溝道MOSFET為低輟學(xué)


銷可選擇的破裂模式操作

1%的輸出精度(LTC1266A)

銷可選擇的階段的上部驅(qū)動(dòng)力增加或降壓操作

寬VIN范圍:3.5 v到20 v

芯片上的低電池檢測(cè)器

高效維護(hù)在大電流范圍

低170毫安電流負(fù)荷備用光

當(dāng)前模式操作優(yōu)秀線和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

邏輯控制微功率關(guān)機(jī):智商< Amo

短路保護(hù)

同步開關(guān)與Nonoverlaping門驅(qū)動(dòng)器

應(yīng)用

筆記本電腦和掌上電腦

便攜式儀器

蜂窩電話

直流配電系統(tǒng)

GPS系統(tǒng)

描述

    LTC1266系列是一個(gè)家庭的同步開關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)控制器具有自動(dòng)破裂ModeTM操作來維持高效率較低的輸出電流。這些設(shè)備驅(qū)動(dòng)外部動(dòng)力場(chǎng)效電晶體在開關(guān)頻率高達(dá)400千赫使用常數(shù)停止時(shí)間當(dāng)前模式架構(gòu)提供持續(xù)的脈動(dòng)當(dāng)前在電感器。他們可以驅(qū)動(dòng)要么是n溝道或者一個(gè)p溝道MOSFET居首位。

    操作當(dāng)前水平是通過一個(gè)可編程外部電流檢測(cè)電阻。寬輸入供應(yīng)范圍允許操作從3.5 v - 18 v(20 v最大)。常數(shù)關(guān)井時(shí)間體系結(jié)構(gòu)提供了低輟學(xué)監(jiān)管只受限于RDS(上)的上部MOSFET(當(dāng)使用p溝道)和的阻力電感和電流檢測(cè)電阻。

    LTC1266的同步切換相結(jié)合最大的效率,高電流,一個(gè)自動(dòng)的低電流操作模式,稱為突發(fā)模態(tài)操作,這可以減少開關(guān)損耗。備用電源是減少只有1 mw在VIN = 5 v(在IOUT = 0)。負(fù)載電流在突發(fā)模態(tài)操作通常是0到500MA。