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晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。晶間腐蝕從金屬材料表面開始，沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展，使晶粒間的結(jié)合力喪失，以致材料的強度幾乎完全消失。例如，經(jīng)受這種腐蝕的不銹鋼材料，外表雖然還十分光亮，但輕輕敲擊可能碎成細粉。因此，晶間腐蝕是一種危害性很大的局部腐蝕。
晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個條件：①晶界物質(zhì)的物理化學狀態(tài)與晶粒不同；②特定的環(huán)境因素。晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生，主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時發(fā)生。晶間腐蝕不僅導致材料的承載能力降低，而且誘發(fā)晶間型應力腐蝕開裂，或引發(fā)點腐蝕。
晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。例如：①晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化；②晶界析出易于腐蝕的陽極相；③雜質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析；④晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯密度高；⑤新相析出或轉(zhuǎn)變，造成晶界處較大的內(nèi)應力。這些原因均可能構(gòu)成特定體系的晶間腐蝕機理模型。總之，當某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠大于晶粒本身的溶解電流密度時，便可產(chǎn)生晶間腐蝕。

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