深圳市協(xié)創(chuàng)緣科技有限公司多年來(lái)從事深圳LED光電材料加工x406ed9n生產(chǎn)與研發(fā)，在擴(kuò)散膜打碼的生產(chǎn)和使用上有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。深圳市、寶安區(qū)常年現(xiàn)貨供應(yīng)四面?zhèn)淠z擴(kuò)散膜、黑白雙面膠生產(chǎn)，且深圳雙面膠公司產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率穩(wěn)居，深受廣大客戶的喜愛！

   產(chǎn)品基本資料： 產(chǎn)品名稱：LED光電材料； 品牌商標(biāo)：協(xié)創(chuàng)緣； 主營(yíng)產(chǎn)品行業(yè)：工農(nóng)業(yè)、加工制造、電工電氣產(chǎn)品加工； 公司注冊(cè)地址：深圳市寶安區(qū)福永街道鳳凰工業(yè)區(qū)興業(yè)一路50號(hào)第四層南； 產(chǎn)品詳情：深圳LED光電材料加工生產(chǎn)的光電材料是指用于制造各種光電設(shè)備(主要包括各種主、被動(dòng)光電傳感器光信息處理和存儲(chǔ)裝置及光通信等)的材料，主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學(xué)材料等。下面主要介紹一下紅外材料、激光材料及其在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用。紅外探測(cè)材料包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜(金、汞)、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測(cè)材料，特別是碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料，是當(dāng)前較成熟也是各國(guó)側(cè)重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應(yīng)用于從近紅外、中紅外、到遠(yuǎn)紅外很寬的波長(zhǎng)范圍，還具有以光電導(dǎo)、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點(diǎn)，但該材料也存在化學(xué)穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點(diǎn)，Hg-Cd-Te現(xiàn)已進(jìn)入薄膜材料研制和應(yīng)用階段，為了克服該材料上述的缺點(diǎn)，國(guó)際上探索了新的技術(shù)途徑:(1)用各種薄膜外延技術(shù)制備大尺寸晶片，這些技術(shù)包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機(jī)化合物氣相淀積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制備大面積焦平面陣列紅外探測(cè)器。國(guó)外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復(fù)性好的碲鎘汞單晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型號(hào)系統(tǒng)、512×512已有樣品。(2)尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括:Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美國(guó)和烏克蘭等國(guó)從80年代中就開展了這方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光學(xué)特性和碲鎘汞很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學(xué)穩(wěn)定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導(dǎo)體材料，在磁場(chǎng)中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導(dǎo)材料，現(xiàn)處于研究開發(fā)階段，已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8~14μm遠(yuǎn)紅外探測(cè)器，如:InAs/GaSb(應(yīng)變層超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱結(jié)構(gòu))等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)和重要的應(yīng)用價(jià)值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子產(chǎn)業(yè)的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應(yīng)變等，可自由調(diào)節(jié)材料的光電性能，開辟了硅材料人工設(shè)計(jì)和能帶工程的新紀(jì)元，形成國(guó)際性研究熱潮。Si/GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于紅外探測(cè)器有如下優(yōu)點(diǎn):截止波長(zhǎng)可在3~30μm較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，能保證截止波長(zhǎng)有利于優(yōu)化響應(yīng)和探測(cè)器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點(diǎn)在于量子效率很低，目前利用多個(gè)SiGe層來(lái)解決這一問題

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