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深圳晶博威電子有限公司

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[供應]深圳MOS管代理/深圳晶博威電子
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  • 計量單位:件
  • 產品單價:8
  • 更新日期:2014-10-28 14:09:33
  • 有效期至:2015-10-28
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深圳MOS管代理/深圳晶博威電子 詳細信息

深圳晶博威電子有限公司主要經營MOS管批發,深圳MOS管代理,廣泛應用于新能源鋰電池平衡板、電動汽車、電動自行車、通訊、電動工具、LED照明、逆變器、電源、節能燈、家電等十幾個相關領域。晶博威電子本著誠信至上,服務周到,開拓進取的經營方針,憑借具有現貨,庫存量龐大,種類齊全,價格實惠等優勢,發展成為全國領先的電子元器件制造企業。 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅動功率,且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性,并為器件選擇提供指導。最后,解釋了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的數據表。 功率MOSFET結構 圖1為APT N型溝道功率MOSFET剖面圖(本文只討論N型溝道MOSFET)。在柵極和源極間加正壓,將從襯底抽取電子到柵極。如果柵源電壓等于或者高于閾值電壓,柵極下溝道區域將積累足夠多的電子從而產生N型反型層;在襯底形成導電溝道(MOSFET被增強)。電子在溝道內沿任意方向流動。電子從源極流向漏極時,產生正向漏極電流。溝道關斷時,正向漏極電流被阻斷,襯底與漏極之間的反偏PN結維持漏源之間的電勢差。對于N型MOSFET,正向導通時,只有電子流,沒有少子。開關速度僅受限于MOSFET內寄生電容的充電和放電速率。因此,開關速率可以很快,開關損耗很低。開關頻率很高時,這讓功率MOSFET具有很高的效率。 聯系人:夏先生 深圳市晶博威電子有限公司 地址:中國 廣東 深圳市福田區 中航路都會大廈A座10D

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