深圳晶博威電子有限公司主要經(jīng)營MOS管批發(fā)，廣泛應(yīng)用于新能源鋰電池平衡板、電動汽車、電動自行車、通訊、電動工具、LED照明、逆變器、電源、節(jié)能燈、家電等十幾個相關(guān)領(lǐng)域。晶博威電子本著誠信至上，服務(wù)周到，開拓進(jìn)取的經(jīng)營方針，憑借具有現(xiàn)貨，庫存量龐大，種類齊全，價格實惠等優(yōu)勢，發(fā)展成為全國領(lǐng)先的電子元器件制造企業(yè)。 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導(dǎo)。最后，解釋了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的數(shù)據(jù)表。 功率MOSFET結(jié)構(gòu) 圖1為APT N型溝道功率MOSFET剖面圖(本文只討論N型溝道MOSFET)。在柵極和源極間加正壓，將從襯底抽取電子到柵極。如果柵源電壓等于或者高于閾值電壓，柵極下溝道區(qū)域?qū)⒎e累足夠多的電子從而產(chǎn)生N型反型層；在襯底形成導(dǎo)電溝道(MOSFET被增強)。電子在溝道內(nèi)沿任意方向流動。電子從源極流向漏極時，產(chǎn)生正向漏極電流。溝道關(guān)斷時，正向漏極電流被阻斷，襯底與漏極之間的反偏PN結(jié)維持漏源之間的電勢差。對于N型MOSFET，正向?qū)〞r，只有電子流，沒有少子。開關(guān)速度僅受限于MOSFET內(nèi)寄生電容的充電和放電速率。因此，開關(guān)速率可以很快，開關(guān)損耗很低。開關(guān)頻率很高時，這讓功率MOSFET具有很高的效率。 聯(lián)系人：夏先生 深圳市晶博威電子有限公司 地址：中國 廣東 深圳市福田區(qū) 中航路都會大廈A座10D