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[供應]供應二氧化硅東莞超細二氧化硅JD-300
- 產品產地：廣東
- 產品品牌：新瑪特
- 包裝規格：JD-300
- 產品數量：100
- 計量單位：噸
- 產品單價：13000
- 更新日期：2024-11-22 08:44:11
- 有效期至：2034-11-20
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供應二氧化硅東莞超細二氧化硅JD-300
詳細信息
玻璃及玻璃刻字
平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
特殊用途：玻璃刻字：先在玻璃瓶上涂一層石蠟，再用銳器刻上字，再用氫氟酸在刻字的蠟上涂抹一遍，.稍等片刻字跡即可顯現出來。原理：氫氟酸腐蝕二氧化硅。
陶瓷及耐火材料
瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
冶金
硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑。
建筑
混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標準砂）等。
化工
硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅可作為吸附劑來使用。
機械
鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）。.
電子
高純度金屬硅、通訊用光纖等。
在微電子工藝中，SiO2薄膜因其優越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導體器件中，利用SiO2禁帶寬度可變的特性，可作為非晶硅太陽電池的薄膜光吸收層，以提高光吸收效率還可作為金屬2氮化物2氧化物2半導體(MNSO)存儲器件中的電荷存儲層，集成電路中CMOS器件和SiGeMOS器件以及薄膜晶體管(TFT)中的柵介質層等。此外，隨著大規模集成電路器件集成度的提高，多層布線技術變得愈加重要，如邏輯器件的中間介質層將增加到4～5層，這就要求減小介質層帶來的寄生電容。鑒于此，現在很多研究者都對低介電常數介質膜的種類、制備方法和性能進行了深入研究。對新型低介電常數介質材料的要求是:在電性能方面具有低損耗和低耗電在機械性能方面具有高附著力和高硬度在化學性能方面要求耐腐蝕和低吸水性在熱性能方面有高穩定性和低收縮性。目前普遍采用的制備介質層的SiO2，其介電常數約為4.0，并具有良好的機械性能。如用于硅大功率雙極晶體管管芯平面和臺面鈍化，提高或保持了管芯的擊穿電壓，并提高了晶體管的穩定性。這種技術，完全達到了保護鈍化器件的目的，使得器件的性能穩定、可靠，減少了外界對芯片沾污、干擾，提高了器件的可靠性能。
20世紀80年代末期，Si基SiO?光波導無源和有源器件的研究取得了長足的發展，使這類器件不僅具有優良的傳導特性，還將具備光放大、發光和電光調制等基本功能，在光學集成和光電集成器件方面很有應用前景，可作為波導膜、減反膜和增透膜。隨著光通信及集成光學研究的飛速發展，玻璃薄膜光波導被廣泛應用于光無源器件及集成光路中。制備性能良好的用作光波導的薄膜顯得至關重要。集成光路中光波導的一般要求:單模傳輸、低傳輸損耗、同光纖耦合效率高等。波導損耗來源主要分為材料吸收、基片損耗、散射損耗三部分。通過選用表面粗糙度高、平整的光學用玻璃片或預先濺射足夠厚的SiO?薄膜的普通玻璃基片，使波導模瞬間場分布遠離粗糙表面，以減少基底損耗。激光器用減反膜的研究也取得了很大的進展。中國工程物理研究院與化學所用溶膠凝膠法成功地研制出紫外激光SiO2減反膜。結果表明，浸入涂膜法制備的多孔SiO2薄膜比早期的真空蒸發和旋轉涂膜法制備的SiO?薄膜有更好的減反射效果。在波長350nm處的透過率達到98%以上，紫外區的最高透過率達到99%以上。該SiO?薄膜有望用于慣性約束聚變(ICF)和X光激光研究的透光元件的減反射膜。目前在溶膠凝膠工藝制備保護膜、增透膜方面也取得了一些進展。此法制備的SiO?光學薄膜在慣性約束聚變的激光裝置中已成為一種重要的手段，廣泛地應用于增透光學元件上，如空間濾波器、窗口、靶室窗口或打靶透鏡。在諧波轉換元件KDP晶體上用溶膠工藝鍍制保護、增透膜，能改善KDP晶體的工作條件，提高諧波光束的質量與可聚焦功率。
橡膠、塑料
在橡膠中添加二氧化硅，可提高橡膠的耐磨度。
可降低輪胎滾動阻力的同時可改善輪胎的耐磨性和抗濕滑性。
使用二氧化硅的膠料拉伸強度、撕裂強度、耐磨性等均有提高。
涂料
填料（可提高涂料的耐候性）、可用來生產消光劑，亦可以作為涂料增稠劑。
食品、藥品
在食品工業中主要用于防止粉狀食品聚集結塊，以保持自由流動的一類食品添加劑或用于吸附液態的香料、油脂、維生素等，使之成為粉末狀，如粉末油脂、固體香料和固體酒之類制品。（例：奶粉）
在藥品生產中可作為助流劑、催化劑載體等。
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