納米ZnO技術(shù)
 1、高電位梯度：近年國內(nèi)外的研究結(jié)果表明，ZnO芯片的電位梯度取決于單位厚度內(nèi)的晶界數(shù)目，液相擴(kuò)散控制ZnO晶粒的生長(zhǎng)速度；而晶界數(shù)目又是由ZnO晶粒粒徑所確定的，故減小ZnO晶粒粒徑是提高ZnO芯片電位梯度的主要途徑。
 納米ZnO是由極細(xì)晶粒組成，其特征維度尺寸（晶粒尺寸、晶界寬度、第二相分布等）是納米數(shù)量級(jí)。以納米ZnO為核心的高梯度配方的設(shè)計(jì)，能夠有效增加晶界層數(shù)量、抑制晶粒生長(zhǎng)速度及提高勢(shì)壘高度，能夠大幅提高單位面積的通流能力，能夠大幅提高電位梯度。
 2、高能量耐受：同單位體積的能量耐受，主要體現(xiàn)在ZnO芯片擊穿。其主要原因是由于電流分配不均勻?qū)е聼崮軈R集某一點(diǎn)，最終歸結(jié)于微觀組織結(jié)構(gòu)的不均勻性所致。這就要求盡可能從制造工藝上提高ZnO芯片結(jié)構(gòu)和成分均勻性、減少陶瓷本體內(nèi)部缺陷。
 在原料的選用上，納米ZnO粒子作為聯(lián)系宏觀物體及微觀粒子的橋梁，其表面效應(yīng)伴隨著粒徑的減小，表面原子數(shù)的迅速增加，納米粒子的表面積、表面能都迅速增大。表面原子周圍缺少相鄰的原子，有許多懸空鍵，北京電聯(lián)港電器設(shè)備有限責(zé)任公司，電聯(lián)港電器，具有不飽和性廴質(zhì)，易與其它原子相結(jié)合而穩(wěn)定下來，故具有很大的化學(xué)活性。
 在添加劑的選用上，使用易于分散、活性較高的改性納米BiO3，有助于提高燒結(jié)過程中的傳質(zhì)速度，有助于改善液相對(duì)界面的侵潤性，形成良好的晶界面。納米材料的配方、新型高效分散設(shè)備的應(yīng)用和窯爐曲線的調(diào)整，對(duì)于芯片均勻
 性改善均起到顯著作用，對(duì)于單位體積能量耐受能力提高起到顯著作用。
 

 


 熱能聚中技術(shù)
 1、高安全性：熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；非中心區(qū)域的溫度，要遠(yuǎn)低于中心區(qū)域。從而保障了熱脫離器脫離前，正規(guī)電涌保護(hù)器生產(chǎn)商
，非中心區(qū)域的溫度，一直處于安全溫度；避免熱脫離器脫離過程中，非中心區(qū)域的某點(diǎn)勹溫度，可能已經(jīng)超過甚至遠(yuǎn)超過警戒值，進(jìn)而可能引發(fā)火災(zāi)，保障了客戶設(shè)備的安全運(yùn)行。
 2、TOV快速、準(zhǔn)確:熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；芯片的熱能，傳導(dǎo)到脫離器的傳導(dǎo)距離最短、傳導(dǎo)熱能最多、傳導(dǎo)熱能最集中、傳導(dǎo)速度最快，保障熱脫離器能夠最快速度準(zhǔn)確脫離。保障了客戶設(shè)備的TOV的快速、準(zhǔn)確。
 


 SPD選型原則
 1、級(jí)間配合：電涌保護(hù)器SPD2安裝在SPD1的下游，通常它的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)(Imax，In，Ures)都比SPD1小。但如果它與SPD1安裝得過近，SPD2有可能比SPD1更早動(dòng)作，從而要承受本由SPD1承受的高能量。
 一定要按逐級(jí)分流、分級(jí)保護(hù)的方法，正規(guī)電涌保護(hù)器生產(chǎn)商
，才能保證SPD即有很長(zhǎng)的壽命，又能把電源系統(tǒng)雷擊電涌電壓限制在設(shè)備能承受的水平內(nèi)。
 

 2、15米原則：當(dāng)進(jìn)線端的SPD與被保護(hù)設(shè)備之間的距離&gt15米，應(yīng)在離被保護(hù)設(shè)備盡可能近的地方安裝另一個(gè)電涌保護(hù)器
 3、10米原則：當(dāng)保護(hù)SPD1和SPD2作為級(jí)聯(lián)安裝時(shí)，SPD1和SPD2之間的最短距離：10米。目的為了延遲SPD2上雷擊波的到達(dá)，以使盡可能多的能量被SPD1釋放。
 4、50CM原則：進(jìn)線和出線可以直接并接，也可以用V形接法（凱文接線）連接。直接并接要求a+b≤0.5m，而V形接法只要求a≤0.5m，以減少引線電感電壓降對(duì)被保護(hù)設(shè)備的沖擊。
 


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