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晶間腐蝕，局部腐蝕的一種。沿著金屬晶粒間的分界面向內(nèi)部擴(kuò)展的腐蝕。

  晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個(gè)條件：

        （1）晶界物質(zhì)的物理化學(xué)狀態(tài)與晶粒不同；

        （2）特定的環(huán)境因素。晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生，主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時(shí)發(fā)生。晶間腐蝕不僅導(dǎo)致材料的承載能力降低，而且誘發(fā)晶間型應(yīng)力腐蝕開裂，或引發(fā)點(diǎn)腐蝕。

晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學(xué)上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。例如：（1）晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化；（2）晶界析出易于腐蝕的陽極相；（3）雜質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析；（4）晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯(cuò)密度高；（5）新相析出或轉(zhuǎn)變，造成晶界處較大的內(nèi)應(yīng)力。這些原因均可能構(gòu)成特定體系的晶間腐蝕機(jī)理模型。總之，當(dāng)某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠(yuǎn)大于晶粒本身的溶解電流密度時(shí)，便可產(chǎn)生晶間腐蝕。

晶間腐蝕測試可以分為A/B/C/D/E五種方法，常用的檢測標(biāo)準(zhǔn)是GB/T4334-2008和ASTM  A262-2010.