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深圳市天明偉業電子有限公司

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[供應]DGT高壓吸收電容器
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  • 產品產地:深圳
  • 產品品牌:dawn
  • 包裝規格:DGT高壓吸收電容器
  • 產品數量:1000
  • 計量單位:個
  • 產品單價:0
  • 更新日期:2017-09-20 13:50:50
  • 有效期至:2018-09-20
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DGT高壓吸收電容器 詳細信息

采用金屬化聚丙烯薄膜進行無感式卷繞,特殊噴金工藝,邁拉膠帶、鋁外殼或不銹鋼外殼封裝,阻燃環氧樹脂灌封,銅螺母或銅螺栓引出。

具有優秀的高頻紋波吸收能力,高dv/dt,頻率特性好,雜散電感小。

產品廣泛應用于高壓逆變系統開關模塊(IGBT.GTO)中作吸收保護、尖峰電壓鉗位等場合。

Referencestandards

IEC6107161881

工作溫度范圍Operatingtemperaturerange

-40~85℃

容量范圍Capacitance

0.33~3.0μF

額定電壓 RatedVoltage

4000~10000VDC

容量偏差 Tolerance

±5%, ±10%

極間耐電壓 Testvoltagebetweenterminals

1.5Ur(DC)10s 25±5℃

極殼耐電壓 Testvoltagebetweenterminalsandcase

3000V50Hz60S,25±5℃

損耗角正切Dissipationfactor

tgδ≤8×10-4  at 25±5℃ ,1KHz

絕緣電阻Insulationresistance

C*IR≥30000S,  at 100VDC,25±5℃,60S

預期壽命Lifeexpectancy

100000hatUrand70℃

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