6ES7416-2FK02-0AB0
6ES7416-2FK04-0AB0
6ES7416-2FN05-0AB0
6ES7416-2XK00-0AB0
6ES7416-2XK01-0AB0
6ES7416-2XK02-0AB0
6ES7416-2XL01-0AB0
6ES7416-3XR05-0AB0這里只介紹動態存儲器(DRAM)的工作原理。
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，
而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址總線和芯片
地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上，
借助芯片內部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM芯片中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，
該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，
也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出并保持。
當需要把數據寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內部，然后，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，
這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，
每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，
DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
廈門航拓電氣有限公司
  吳明：0592-5072087
  手機：18965131360
  傳真：0592-5072083
  郵箱：[email protected]
  QQ：411797695
  地址：廈門仙岳路582號16樓A單元
LXM05AD42M3X
LXM05AD14N4
LXM05AD22N4
LXM05AD34N4
LXM05AD57N4
LXM15HC11N4X
LXM15HC20N4X
LXM05AD14N4
LXM05AD28F1
LXM05AD22N4
LXM05AD34N4
LXM23CU01M3X
LXM05BD10M2
LXM23CU04M3X
LXM15LD13M3 
LXM15LD21M3