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廣州五禾杰電子科技有限公司

主營(yíng):IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)光耦
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[供應(yīng)]HCPL-181-000E光耦
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  • 更新日期:2017-08-15 16:52:24
  • 有效期至:2018-08-15
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HCPL-181-000E光耦 詳細(xì)信息

光耦組成的脈沖電路圖原理及應(yīng)用光耦是由發(fā)光二極

管和光敏三極管組合起來的器件,發(fā)光二極管是把輸入邊

的電信號(hào)變換成相同規(guī)律變化的光,而光脈敏三極管是把

光又重新變換成變化規(guī)律相同的電信號(hào),因此,光起著媒

介的作用。由于光電耦合器抗干擾能力強(qiáng),容易完成電平

匹配和轉(zhuǎn)移,又不受信號(hào)源是否接地的限制。所以應(yīng)用日

益廣泛。一、用光電耦合器組成的多諧振蕩電路

用光電耦合器組成的多諧振蕩電路見圖1。當(dāng)圖1(a)

剛接通電源Ec時(shí),由于UF隨C充電而增加,直到UF≈1伏時(shí)

,發(fā)光二極管達(dá)到飽和,接著三極管也飽和,輸出Uo≈Ec

。三極管飽和后,C放電(由C→F→E1→Er和由C→RF

→+Ec→Re兩條路徑放電),uo減小,二極管在C放電到一

定程度后就截止,而三極管把儲(chǔ)存電荷全部移走后,接著

也截止,uo為零。三極管截止后,電源Ec又對(duì)C充電,重

復(fù)上述過程,得出圖示的尖峰輸出波形,其周期,為(當(dāng)

RF》Re時(shí)):T=C(RF+Re)In2圖1(b)是原理

相同的另一種形式電路。
 用光電耦合的多諧振蕩器圖1、用光電耦合的多諧振

蕩器二、用光電耦合器組成的雙穩(wěn)態(tài)電路用光

電耦合器組碭雙穩(wěn)態(tài)電路如圖2所示。電路接通電源

后的穩(wěn)態(tài)是BG截止,輸出高電位。在觸發(fā)正脈沖作用下,

ib增加使BG進(jìn)入放大狀態(tài),形成ib↑→if↑→ib↑↑,結(jié)

果BG截止,這種電路比普通的觸發(fā)順具有更高的抗干擾能

力。若設(shè)BG的極限電流Ic=6毫安,則R2=取為:R2≥

(13-1)/(6×)=24歐限流電阻R1可按下式計(jì)算

R1≥(E-IbmRce2min)/Ibm式中:Ibm是晶體管的最

大基極電流,Rce2min是光敏三極管集射間的最小電阻值


 用光電耦合的雙穩(wěn)態(tài)電路圖2、用光電耦合的雙穩(wěn)態(tài)

電路三、用光電耦合器組成的整形電路由于用

光電耦合器組成的脈沖耦合電路,其前后沿時(shí)間都比較大

,因此在耦合器后面接一級(jí)晶體管的整形放大電路。見表

一列出幾種整形電路的應(yīng)用實(shí)例。
 用光電耦合器組成的斬波電路四、用光電耦合器組

成的斬波電路用光電耦合器組成的斬皮電路見表二
 用光電耦合器組成的斬皮電路
如何確定光耦合器性能的好壞確定光耦合器的好壞首

先確定光耦合器輸大端發(fā)光二極管的好壞。如圖1所示,將

萬用表置于Rx100擋或Rx1k擋,黑表筆接發(fā)光二極管的正

極,紅表筆接發(fā)光二極管的負(fù)極,此時(shí)萬用表顯示電阻值

應(yīng)為幾百歐。2kΩ左右,然后對(duì)調(diào)表筆再測(cè)試,阻值應(yīng)接

近∞,表明輸入端的發(fā)光二極管是好的。如出現(xiàn)阻值與上

述阻值相差甚遠(yuǎn),表明發(fā)光二極管性能不良或是已經(jīng)損壞


 測(cè)試光耦合器的輸入端圖1測(cè)試光耦合器的輸入端

測(cè)試光耦合器輸出端的光敏器件,如光敏器件是光敏

晶體管,將萬用表置于Rx1k擋或Rx1O0擋,按圖2所示的接

好,黑表筆接光敏晶體管的集電極,紅表筆接光敏晶體管

的發(fā)射極,萬用表的顯示應(yīng)為接近幻,交換表筆,阻值仍

為∞,表明輸出端的光敏晶體管是好的。如果測(cè)試的阻值

與上述相差太多表明光敏晶體管性能不良或損壞。
 測(cè)試光耦合器的輸出端圖2測(cè)試光耦合器的輸出端

如果輸出端不采用光敏晶體管的其他類型光耦合器,

應(yīng)根據(jù)不同結(jié)構(gòu)的光敏器件進(jìn)行判斷。

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