1、 結構原理單晶硅諧振傳感器的核心部分,即在一單晶硅芯片上采用微電子機械加工技術(羅斯蒙特導播雷達液位計MEMS),分別在其表面的中心和邊緣作成兩個形狀、大小完全一致的H形狀的諧振梁(H型狀諧振器有兩個振梁),且處于羅斯蒙特導播雷達液位計微型真空腔中,使其即不與充灌液接觸,羅斯蒙特變送器又確保振動時不受空氣阻尼的影響。
2、 諧振梁振動原理 硅諧振梁處于由永久磁鐵提供的磁場中,與變壓器、放大器等組成一正反饋回路,讓諧振梁在回路中產生振蕩。
3、 受力情況 當單晶硅片的上下表面受到壓力并形成壓力差時將產生形變,中心處受至壓縮力,邊緣處受到張力,因而兩個形狀振梁分別感受羅斯蒙特差壓變送器不同應羅斯蒙特導播雷達液位計變作用,其結果是中心諧振梁受壓縮力而頻減少,邊側諧振梁因受張力而頻率之差對應不同的壓力信號。