天津壓力容器HIC氫脆實驗

壓力容器HIC氫脆實驗，螺栓抗氫脆檢測標(biāo)準(zhǔn)，GB/T8650-2006氫脆試驗，什么是氫脆腐蝕檢測

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提供HIC+SSC測試
HIC清脆  ：
裂紋敏感性比值CSR                  裂紋長度比值CLR                      裂紋厚度比值CTR     
標(biāo)準(zhǔn)：NACE  TM  0284-2003                NACE  RM0175-2000
SSC硫化氫應(yīng)力腐蝕：標(biāo)準(zhǔn)拉伸試驗  ，標(biāo)準(zhǔn)彎梁試驗  ，標(biāo)準(zhǔn)C型環(huán)試驗，  標(biāo)準(zhǔn)雙懸臂梁試驗
  標(biāo)準(zhǔn):    NACE  TM  0177-2005                NACE  RM0175-2000            ASTM  G39-99
                        GB/T4157-2006      ISO15156-2001

測試氫脆的方法有好幾種，常用的有往復(fù)彎曲試驗和延遲破壞試驗。
(1)往復(fù)彎曲試驗往復(fù)彎曲試驗對低脆性材料比較靈敏，可以用來對不同基體材料在經(jīng)過相同的電鍍工藝處理后的氫脆程度進(jìn)行比較，也可以對相同的基體材料上的不同電鍍工藝的氫脆程度進(jìn)行比較。這種試驗的方法是取一個待測試片，其尺寸規(guī)格為：150mm×l3mm×l.5mm，表面粗糙度Ra=1.6。對試片進(jìn)行熱處理使之達(dá)到規(guī)定的硬度，然后用往復(fù)彎曲機(jī)讓試片在一定直徑的軸上以一定的速度進(jìn)行緩慢的彎曲試驗，直至試片斷裂。彎曲方式有90。往復(fù)彎曲和l80。單面彎曲兩種，以前一種方式應(yīng)用較多，彎曲的速度是0．6.／s。如果是單面彎曲則所取的速度則為0．13。／s。評價的方法是將彎曲試驗至斷裂時的次數(shù)乘以角度，以獲得彎曲角度的總和，其角度總值越大，氫脆越小。
測試時要注意以下幾點。
①試片在進(jìn)行熱處理后如果有變形，應(yīng)靜壓校平，不可以敲打校正，否則會使試片的內(nèi)應(yīng)力增加，影響試驗結(jié)果。
②為了防止應(yīng)力影響，電鍍前應(yīng)進(jìn)行去應(yīng)力，在電鍍后則要進(jìn)行除氫處理，這時檢測的是殘余氫脆的影響。
③彎曲試驗時所用的軸的直徑的選用很重要，因為評價這種試驗結(jié)果的量化指標(biāo)與軸徑有關(guān)，對于小的軸徑，則彎曲至斷裂的次數(shù)就會少一些，具體選用什么軸徑要通過對基體材料的空白試驗來確定，并且在提供數(shù)據(jù)時要指明所用的軸徑，否則參數(shù)沒有可比性。
(2)延遲破壞試驗延遲破壞試驗是一種靈敏度較高的試驗方法，適合用于高強(qiáng)度鋼制品的氫脆檢測。這種氫脆測試也是在試驗
機(jī)上進(jìn)行的，所用的試驗機(jī)為持久強(qiáng)度試驗機(jī)或蠕變試驗機(jī)，檢測試樣在這種試驗機(jī)上受到小于破壞程度的應(yīng)力的作用，觀測其直到斷裂時的時間。如果到規(guī)定的時間尚沒有發(fā)生斷裂，即為合格。這種試驗需要采用按一定要求制作的標(biāo)準(zhǔn)的測試驗棒。并且每次要使用三支同樣條件的試樣平行做試驗，以使結(jié)果更為可信。
這種試樣的形狀和尺寸要求如圖2-1，氫脆試樣棒示意其中關(guān)鍵位就是處于試樣中間軸徑最小的地方(直徑4．5mm士0．05mm)。如果有較為嚴(yán)重的氫脆，斷裂就從此處發(fā)生。  試樣應(yīng)先退火后再經(jīng)車工加工為接近規(guī)定尺寸的初件，經(jīng)熱處理達(dá)到規(guī)定的抗拉強(qiáng)度后，再加工到精確尺寸。試樣在電鍍前要消除應(yīng)力，其工藝與電鍍件的真實電鍍過程相同。鍍層的厚度要求在12μm左右。試驗所用的負(fù)荷是進(jìn)行空白測試時的75％。如果經(jīng)過200h仍不斷裂，即為合格。