產品介紹 氮化鋁是由由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半導體材料分子式為AlN。室溫下禁帶寬度為6.42eV,屬直接躍遷型能帶結構。 產品屬性 (1)熱導率高(約320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上; (2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配; (3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良; (4)機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結使用方法 有報告指現今大部分研究都在開發一種以半導體(氮化鎵或合金鋁氮化鎵)為基礎且運行於紫外線的發光二極管,而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無主要特點 。導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料功能用途 由于氮化鋁壓電效應的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。其他說明 氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入交易說明 歡迎廣大客戶來廠參觀、選購