IGBT突波吸收電容
雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術,使電容具低感抗,
多條引線設計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路
材料特性
電容結構: 雙層金屬化膜,內部串聯結構
封裝: 阻燃塑膠外殼,環氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標準.
尺寸: 適合于各種IGBT保護 。(可按客戶需求定制特殊規格)
電氣特性
電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數據
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF 測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃
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