隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,我國通信技術(shù)在國家的大力支持下,開始著力于電子通信產(chǎn)品的研發(fā)。我們正處于信息時(shí)代,與數(shù)年前相比,當(dāng)前集成器件的微型化趨勢(shì)也造成了
手機(jī)中需要用到大量的ESD保護(hù)元件,過去主要都是采用壓敏電阻,但是隨著TVS在性能、尺寸等各方面的提高,現(xiàn)在有越來越多的手機(jī)制造商開始選擇和我們合作。
ESD對(duì)于電路引起的干擾、對(duì)元器件、電路及接口電路造成的破壞等問題越來越引起人們的重視。目前手機(jī)的功能越來越強(qiáng)大,而電路板卻越來越小,集成度越來遠(yuǎn)高,使得其E
隨著半導(dǎo)體工藝向65nm以下的轉(zhuǎn)移,芯片集成度不斷提高,IC的外形尺寸變得越來越小,但同時(shí)也更容易受到ESD損壞。與此同時(shí),為了提供有效的靜電防護(hù),ES
ESD靜電二級(jí)管是一種過壓、防靜電保護(hù)元件,是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。ESD保護(hù)器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電
近年來,隨著電子信息技術(shù)、通訊技術(shù)、超大規(guī)模集成電路等方面的發(fā)展,芯片的尺寸越來越小,要求的工作電壓也越來越低,這就對(duì)保護(hù)電路的保護(hù)元件也提出了體積更小
pstylefontsize14px集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給人們的生活和工作帶來了日新月異的變化。當(dāng)前半導(dǎo)體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化,特別像消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對(duì)主板面積要求比較嚴(yán)格的應(yīng)用,很容易受到靜電放電ESD的影響。pbrp
3030綠光、藍(lán)光led燈珠1.0w功率 3030綠光、藍(lán)光led燈珠1.0w功率 3030綠光、藍(lán)光led燈珠1.0w功率
BORN二極管LC05CI/5V/SOD-323-1206貼片保險(xiǎn)絲12110系列-茂思通科技SMDTVS貼片系列包括SMAJ,SMBJ,SMCJ,SMDJ,
USB2.0的數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)480Mbps。手機(jī)、MP3播放器和其它電子產(chǎn)品中,通用串行總線(USB)已經(jīng)成為一項(xiàng)流行特性。USB使得數(shù)據(jù)在不同電子設(shè)備之
pstylefontsize14px業(yè)界正在采用最先進(jìn)的技術(shù)制造先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。設(shè)計(jì)人員為了優(yōu)化功能及芯片尺寸,正在持續(xù)不斷地減小其芯片設(shè)計(jì)的最小特征尺寸。但相應(yīng)的代價(jià)是:隨著特征尺寸減小,器件更易于遭受ESD損傷。當(dāng)今的集成電
SES5VD323-2B(雙向)系列通用ESD靜電二極管陣列,以取代多層壓敏電阻(MLV)用于保護(hù)因靜電放電(ESD)和其它瞬態(tài)現(xiàn)象導(dǎo)致的對(duì)電子設(shè)備的破
隨著智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、筆記本電腦、辦公設(shè)備和液晶面板等電子設(shè)備不斷小型化并提供日益增強(qiáng)的高性能特性,這些電子設(shè)備所使用的半導(dǎo)體產(chǎn)品也日益小
pstylefontsize14px隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,電子、通信、航天航空等高新產(chǎn)業(yè)的迅速崛起,尤其是電子儀器儀表和設(shè)備等電子產(chǎn)品日趨小型化、多功能及智能化。高密度集成電路已成為電子工業(yè)對(duì)上述要求中不可缺少的器件。這種器件具有線間距短
16kV) 7、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空氣),±8kV(接觸) 8、IEC61000-4-4(EFT)40A(
由于瞬態(tài)抑制二極管具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)。主要封裝有:SMFSMAJSMBJS
高清晰度多媒體接口(英文:HighDefinitionMultimediaInterface,HDMI)是一種數(shù)字化視頻/音頻接口技術(shù),是適合影像傳輸?shù)?/p>
瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn)   優(yōu)點(diǎn):響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、電容低、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積
瞬態(tài)抑制二極管能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線
瞬態(tài)電壓抑制器二極管(瞬態(tài)抑制二極管——TVSDiode)專門用于保護(hù)電子電路,以防受到瞬變和過壓的危害,例如:EFT(電氣快速瞬變)以及ESD(靜電放
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