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哈爾濱特博科技有限公司

主營(yíng):納米粉 微米粉 加工硅片 濺射靶材 實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備
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[供應(yīng)]soi絕緣硅片
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  • 產(chǎn)品產(chǎn)地:哈爾濱
  • 產(chǎn)品品牌:soi
  • 包裝規(guī)格:絕緣硅片
  • 產(chǎn)品數(shù)量:100
  • 計(jì)量單位:片
  • 產(chǎn)品單價(jià):0.00
  • 更新日期:2016-09-26 12:08:31
  • 有效期至:2026-09-24
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soi絕緣硅片 詳細(xì)信息

哈爾濱特博科技有限公司是英國(guó)ICEMOSTECH公司在中國(guó)的獨(dú)家代理,高品質(zhì)的SOI wafer和SuperJunction MOSFET是ICEMOS的主營(yíng)產(chǎn)品,憑借15年的制造經(jīng)驗(yàn)ICEMOS在世界范圍內(nèi)有眾多的客戶群體,分別在歐洲,美國(guó),日本、韓國(guó)和中東設(shè)有代理商。

 

 

SOI wafer尺寸: 4”(100mm), 5”(125mm), 6”(150mm) and  8"(200mm)

SOI Spec. 規(guī)格:

        1-      Bonded SOI  wafer (絕緣硅上鍵合硅片)

                                                  For 4”(100mm), 5”(125mm), 6”(150mm)

                                          ———— Handle wafer  minimum 300um maximum 1000um,

                                          ———— Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,

                                        ————  Device layer minimum 2 um, max 500 um.

                                                 

                                                    For 8"(200mm)

                                          ————  Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,

                                          ————  Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

                                          ————  Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

 

2-              Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接鍵合,可替代外延片

 

          100mm, 125mm, 150mm and 200mm, thickness as specified above.

 

3-              Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),

          Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

          and finally Through Silicon Via (TS

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