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時間：2020年04月17日
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臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產
盡管2020年全球半導體行業會因為疫情導致下滑，但臺積電的業績不降反升，掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上，臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預定在2022年下半年量產。
臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術論壇，正式公布3nm工藝詳情，不過這個技術會議已經延期到8月份，今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術信息及進度。
臺積電表示，3nm工藝研發符合預期，預計在2021年進入風險試產階段，2022年下半年量產。
在技術路線上，臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首先發布依然會是FinFET晶體管技術。
在3nm節點上，臺積電最大的對手是三星，后者押注3nm節點翻身，所以進度及技術選擇都很激進，將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環繞柵極晶體管。
根據三星的信息，相較于7nm FinFET工藝，3nm工藝可以減少50%的能耗，增加30%的性能。
至于量產時間，三星之前計劃在2021年量產，不過因為疫情影響，現在也推遲到了2022年，但沒有明確是上半年還是下半年，他們與臺積電誰能首先發布3nm工藝還沒定論。
隨著3nm工藝的臨近，人類正在逼近硅基半導體的極限，此前臺積電有信心將工藝推進到2nm甚至1nm，但還是紙面上的，相關技術并沒有走出實驗室。
如果不能解決一系列難題，3nm工藝很有可能是未來CPU等芯片的極限了。
來源：快科技
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